檢索結果:共2筆資料 檢索策略: "銦".ckeyword (精準) and year="93"
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本研究已成長高品質氮化銦(InN)薄膜在氮化鎵(001)的基板上,利用高解離性的氮源(HN3)來當化學束磊晶技術來成長薄膜。成長薄膜特性分析儀器使用:高解析度場發射掃描電子顯微鏡(FE-SEM)、高…
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本論文的主題分為四部分:(1)利用三甲基鎵(trimethylgallium,TMG)/氨氣(NH3)為反應先驅物以原子層磊晶法(ALE)合成氮化鎵(GaN)並對其成長行為做一整體性探討;(2)探討…